根據週一提交給澳洲證券交易所的文件顯示，dorsaVi（ASX：DVL）展示了其電阻式隨機存取記憶體（RRAM）單元在高達150攝氏度的工作溫度下可預測且完全可逆的行為，證明了該技術在極端條件下的可靠性。 文件稱，測試表明，在從室溫到150攝氏度再返回的對稱加熱-冷卻過程中，該記憶體性能穩定。 該公司補充說，這些結果為動態的、溫度感知的電壓優化奠定了基礎，使未來的晶片能夠降低功耗並消除不必要的過驅動。
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